三星电子在存储芯片领域持续发力，近期在第六代高带宽内存（HBM4）及后续产品的研发上取得多项突破。据行业消息，三星已率先实现HBM4的量产出货，并正在加速推进第七代HBM4E及下一代DRAM的研发进程。在最近一场内部高管简报会上，三星电子首席技术官Song Jai Hyuk透露，HBM4E的可靠性测试良率已突破70%大关，标志着其研发进入稳定阶段。尽管行业普遍将80%视为成熟良率标准，但当前进展已为后续量产奠定坚实基础。
作为HBM4的升级版，HBM4E的研发节奏明显加快。今年5月，三星公布了12层堆叠HBM4E的技术规格，并向主要客户送样。该产品计划搭载于英伟达明年推出的Vera Rubin Ultra等下一代AI加速器，而HBM4则将应用于今年下半年发布的Vera Rubin。随着客户评估工作顺利推进，三星的量产准备工作正有序展开。业内人士认为，三星在HBM领域的先发优势有望进一步巩固。
在DRAM技术方面，三星同样取得关键进展。Song Jai Hyuk表示，10纳米级第七代（D1d）DRAM工艺的技术竞争力已领先竞争对手。目前，研发团队正以今年11月通过“生产准备就绪审批（PRA）”为目标加速推进。PRA是量产前的最后一道质量关卡，需全面验证良率、性能和生产率。若能按计划通过审批，D1d工艺将迅速转入量产体系，为下一代产品提供技术支撑。
值得注意的是，D1d工艺不仅是下一代DRAM的核心技术，还将应用于三星计划中的第八代HBM5。业界分析认为，若D1d研发顺利，不仅将提升DRAM产品的市场竞争力，还将为HBM5及后续产品带来协同效应。随着HBM4E和D1d工艺的逐步成熟，三星在AI内存赛道的技术优势有望进一步扩大。
