在NVIDIA GTC 2026大会上，三星电子以全面覆盖AI计算领域的技术矩阵成为焦点。作为全球唯一具备内存、逻辑芯片、晶圆代工及先进封装全链条能力的半导体企业，三星此次展示了从数据中心到个人设备的完整AI解决方案体系。
针对端侧AI应用场景，三星推出多款突破性产品。为NVIDIA DGX Spark平台定制的PM9E3和PM9E1 NAND闪存方案，通过优化本地AI工作负载处理能力，显著提升边缘计算效率。在移动设备领域，LPDDR5X内存以每引脚25Gbps的传输速度和15%功耗降低的优势，成为高端智能手机、平板及可穿戴设备的首选方案。其迭代产品LPDDR6更将带宽提升至30-35Gbps，通过自适应电压调节和动态刷新控制技术，为下一代端侧AI提供强劲性能支撑。
数据中心领域迎来第六代HBM4内存的量产突破。这款专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的存储器，以11.7Gbps的稳定传输速度超越行业8Gbps标准，并具备向13Gbps升级的潜力。基于10nm级第六代DRAM工艺，该产品在良率控制和性能表现上均达到行业领先水平。更引人注目的是首次亮相的HBM4E原型，其每引脚16Gbps的传输速度和4.0TB/s带宽，配合混合铜键合（HCB）技术实现的16层堆叠能力，将热阻降低20%以上，为AI训练提供前所未有的存储密度。
三星与NVIDIA的深度合作成果在专属展区集中呈现。基于低功耗DRAM设计的SOCAMM2服务器内存模块，凭借高带宽和灵活集成特性成为业内首个量产的AI基础设施解决方案。采用PCIe 6.0接口的PM1763 SSD，在NVIDIA SCADA编程模型服务器上演示了其高速数据传输能力。作为Vera Rubin平台参考架构的重要组成部分，PM1753 SSD则通过优化推理工作负载的能效表现，展现出存储基础设施的革新潜力。
双方在AI工厂建设领域的合作同样引人注目。通过引入NVIDIA加速计算技术，三星计划将AI工厂规模扩展至新维度，并借助Omniverse库推动制造数字孪生技术在内存生产、晶圆代工及先进封装等环节的落地应用。这种跨层级的技术融合，正在重塑半导体产业的生产范式。
