据韩媒Chosun.biz报道，存储芯片巨头SK海力士正调整产能布局，将第六代高带宽内存HBM4的扩产计划放缓，转而优先提升通用型DRAM的供应能力。这一战略转向源于市场格局的显著变化——通用型DRAM盈利能力已反超HBM，成为公司新的利润增长点。
尽管HBM业务占SK海力士营收比重超过40%，且公司在该领域占据57%的市场份额（Counterpoint Research数据），但管理层认为当前无需继续激进扩产。行业分析指出，通用型DRAM市场正面临严重供应短缺，其营业利润率较HBM高出至少15个百分点。今年第一季度，通用型DRAM每Gb售价虽仍低于HBM，但盈利差距已显著缩小。
消息人士透露，SK海力士已推迟部分HBM3E产线升级为HBM4的计划。HBM3E作为第五代产品，目前仍是公司HBM业务的主力。这一调整与下游客户需求变化密切相关——英伟达下一代搭载HBM4的Rubin芯片产量预期下调，使得SK海力士缺乏加快产线转换的紧迫性。
公司战略转向的直接动因是对手三星电子的盈利表现。知情人士称，SK海力士管理层密切关注到三星通过通用型DRAM获得远高于HBM的利润。在第一季度业绩发布会上，SK海力士披露DRAM平均售价同比上涨65%，公司明确表示将优先满足高密度服务器模组和移动产品需求。
市场研究机构警告，SK海力士控制HBM4供应规模可能为竞争对手创造机会。若三星电子今年下半年如期量产HBM4，SK海力士的市场份额可能从去年第四季度的57%回落至50%-60%区间。这场存储芯片领域的产能博弈，正随着市场需求结构的变化进入新阶段。
