存储行业巨头美光科技近日宣布，其位于美国纽约州的巨型晶圆厂项目将于1月16日正式启动建设。这座规划中的先进制造中心总投资达1000亿美元，创下纽约州私人投资规模的历史纪录。项目选址经过严格的环境评估与审批流程，目前已完成场地平整等前期准备工作，即将进入实质性施工阶段。
该制造基地将分阶段建设四座晶圆厂，采用最先进的半导体制造技术，主要生产面向人工智能、数据中心等高增长领域的存储芯片。根据建设时间表，首座工厂预计2030年投入运营，第二座工厂将于2033年启用，全部四座工厂预计在2045年前完工。项目全面达产后，预计将创造约9000个直接就业岗位，涵盖工程师、技术工人和运营管理人员等多个领域。
美光科技最初于2022年10月对外公布这项投资计划，原定2024年中期开工建设。但由于项目涉及超过万页的环境影响评估报告，加上需要获得联邦和州级多个部门的审批许可，导致实际开工时间推迟了约18个月。公司表示，目前所有法定程序均已完成，3月31日前将完成场地清理工作，随后启动铁路支线改造和湿地平整等配套工程。
市场研究机构Counterpoint Research的最新数据显示，在2025年第三季度全球高带宽内存（HBM）市场中，美光以21%的营收份额位居第三，落后于SK海力士（57%）和三星电子（22%）。不过在包含HBM在内的整体动态随机存取存储器（DRAM）市场，美光以26%的份额紧追三星电子（33%）和SK海力士（34%）。行业分析师指出，若美光能通过新建晶圆厂将市场份额提升至40%，将有望改写全球存储芯片市场的竞争格局。
